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Plessey開發出世界上首個硅基InGaN紅光LED

2019-12-11    

臨沂市優發金屬制品有限公司報道

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導語: 日前,英國Micro LED公司Plessey發布新聞稿稱,宣布開發出世界上首個硅基InGaN紅光LED。

  日前,英國Micro LED公司Plessey發布新聞稿稱,宣布開發出世界上首個硅基InGaN紅光LED。

  盡管InGaN基藍光和綠光LED都已商用量產,但紅光LED通常基于AlInGaP材料或顏色轉換的紅光。對于AR應用來說,由于AlInGaP材料的嚴重邊緣效應和顏色轉換過程造成的腔損耗,實現高效超小間距紅色像素(<5 μm)仍然遙不可及。


來源:Plessey

  與現有的基于AlInGaP的紅光相比,基于InGaN的紅光具有更低的制造成本、可擴展至更大的200 mm或300 mm晶圓以及更好的熱/冷系數,因此具有極大的吸引力。然而,由于銦含量高,在有源區中引起顯著的應變,從而降低了晶體質量并產生了許多缺陷,因此,使用InGaN材料實現紅色光譜發射具有挑戰性。Plessey通過使用專有的應變設計的有源區來制造高效的InGaN Red LED,成功克服了這些挑戰。

  Plessey的InGaN Red Micro LED在10 A/cm2時的波長為630 nm,半峰全寬為50 nm,熱冷系數超過90%,并且在超小像素間距炙粳其效率高于傳統的AlInGaP和顏色轉換的紅光。有了這個結果,Plessey現在可以制造天然的藍、綠和紅InGaN材料,或者使用其GaN-on-Silicon平臺調諧400至650 nm的波長。


來源:Plessey

  Plessey外延和高級產品開發總監Wei Sin Tan表示:“這是一個令人振奮的結果,因為它為低成本制造超小間距和高效的Red InGaN像素提供了一條途徑,將加速Micro LED在AR微型顯示器和移動/大型顯示器應用中的采用。”

編輯:嚴志祥

來源:LEDinside編譯

標簽:Plessey  硅基  InGaN  紅光LED  

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